کد مطلب: 

253741
تولید تراشه‌های سه نانومتری از ۲۰۲۲
بنا بر اعلام TSMC، این شرکت تولید تراشه‌های سه نانومتری را از سال ۲۰۲۲ آغاز می‌کند.
تولید تراشه‌های سه نانومتری از ۲۰۲۲

به گزارش سیتنا به نقل از باشگاه خبرنگاران جوان، امسال شرکت TSMC با استفاده از فناوری گره تراشه‌های ۵ نانومتری خود را تولید کرد. اولین گوشی‌های هوشمند که با تراشه ۵ نانومتری ساخته شدند، سری Apple iPhone 12 بودند که از چیپست A14 Bionic  بهره می‌برد. شرکت اپل همچنین این تراشه را در iPad Air به کار برده است. تراکم ترانزیستور ۵ نانومتریA14 Bionic ، ۱۳۴ میلیون ترانزیستور در هر میلی‌متر مربع است؛ در مقابل تراکم ترانزیستوری در ۷ نانومتری A13 Bionic تعداد ۸۹/۹۷ میلیون در هر میلی‌متر مربع است. تعداد ترانزیستور برای A14 Bionic تعداد ۱۱/۸ میلیارد است که در A13 Bionic مقدار آن ۸/۵ میلیارد ترانزیستور است. ترانزیستورهای اضافی موجود در A14 Bionic  آن را به یک عملکرد قدرتمندتر و دارای انرژی بیشتر نسبت به A13 Bionic تبدیل می‌کند.

تولیدکنندگان تلفن‌های اندرویدی تراشه‌های ۵ نانومتری خود را برای استفاده با Snapdragon 888 یا Exynos 2100 تولید می‌کنند. هر دو با استفاده از گره ۵ نانومتری و توسط Samsung Foundry تولید می‌شوند. سری جدید Galaxy S21 سامسونگ بسته به منطقه‌ای که دستگاه از آن خریداری شده تراشه متفاوت خواهد داشت. در همین حال Digitimes امروز گزارش داد که TSMC تولید تراشه‌های ۳ نانومتری خود را از نیمه دوم سال جاری آغاز می‌کند. مدیر عامل TSMC CC Wei گفت: توسعه فناوری N3 ما پیشرفت خوبی دارد. ما شاهد سطح بالاتری از جذب مشتری برای HPC و برنامه تلفن‌های هوشمند در N3 در مقایسه با N5 هستیم. اگر TSMC این راه را ادامه بدهد، باید شاهد باشیم که آیفون ۱۴ اولین گوشی‌های اپل است که از تراشه‌هایی با گره فرآیند ۳ نانومتری بهره می‌برند. اولین تراشه A16 Bionic خواهد بود. در ماه نوامبر گذشته TSMC تراشه ۳ نانومتری خود در پارک علمی جنوب تایوان تکمیل کرد. شرکت TSMC در ابتدا قصد داشت تولید آزمایشی ۳ نانومتری را در پایان سال ۲۰۲۰ آغاز کند، اما شیوع بیماری کرونا، TSMC را مجبور کرد تا یک سال این پروژه را عقب بیندازد.

پیچیدگی فناوری مورد نیاز برای ساخت تراشه‌های ۳ نانومتری یکی از دلایل هزینه زیاد آن‌ها است. الگوهایی وجود دارد که محل قرارگیری ترانزیستورها درون تراشه را تعیین می‌کنند. با توجه به اینکه میلیاردها ترانزیستور در هر تراشه استفاده می‌شود، این خطوط باید تا حد ممکن نازک باشند. اینجا است که دستگاه لیتوگرافی EUV وارد عمل می‌شود. شرکت TSMC برای تراشه‌های ۳ نانومتری خود از ترانزیستورهای FinFET استفاده می‌کند. این در حالی است که سامسونگ از GAA استفاده می‌کند. برای تولید تراشه‌های ۲ نانومتری، TSMC از طرح GAA استفاده خواهد کرد. گزارش شده است که سامسونگ برای توسعه مدارهای ۳ نانومتری خود تقریبا ۱۱۶ میلیارد دلار هزینه کرده است. می‌توان تولید انبوه تراشه‌های ۲ نانومتری را از اوایل سال ۲۰۲۴ شاهد بود.

انتهای پیام

به این محتوا امتیاز دهید: 

هنوز رأی ندارید
سیتنا 3
2021-01-20 12:05

افزودن دیدگاه جدید